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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
2417
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
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