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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
57
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
57
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
2276
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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