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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
34
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
2969
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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