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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
3660
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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