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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
37
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
37
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
2438
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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