RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
2561
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link