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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston XN205T-HYD2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
3773
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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