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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
2443
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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