RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
100
En 72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
100
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
1479
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link