RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
31
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3130
2354
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link