RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
46
En 54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
46
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.2
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3130
2396
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link