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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
27
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3130
2436
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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