RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
35
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
35
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3130
2336
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link