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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
73
En 71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
73
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3130
1724
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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