RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Compara
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
40
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
9.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
40
Velocidad de lectura, GB/s
24.0
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
20.0
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
4156
2362
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link