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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Compara
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
36
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
36
Velocidad de lectura, GB/s
24.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
20.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
4156
2998
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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