RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Compara
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
38
Velocidad de lectura, GB/s
24.0
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
20.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
4156
3005
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link