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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Compara
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
35
Velocidad de lectura, GB/s
24.0
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
20.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
4156
2768
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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