RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Compara
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
54
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
54
Velocidad de lectura, GB/s
24.0
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
20.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
4156
2176
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Jinyu 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link