RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Compara
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
26
En -18% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
22
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
15.7
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3867
2611
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link