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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3086
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
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