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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3704
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Team Group Inc. Team--Elite-1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
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