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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
49
En -96% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2914
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston TCM633-QAC 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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