RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
2,066.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2821
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link