RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2605
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link