RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
49
En -40% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2654
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link