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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
2,066.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2361
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
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