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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
49
En -53% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2831
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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