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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
75
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.1
2,066.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
75
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
1763
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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