RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
49
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
2,066.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
1927
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link