RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
75
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.6
2,066.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
75
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
1640
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Kingston HX316C10F/4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link