RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
49
En -158% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
19
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3290
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link