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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En -104% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3095
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
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