RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
62
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
3731
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link