RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
62
En -195% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
21
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
2950
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link