RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
62
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
2849
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link