RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
62
En -158% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
3257
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link