RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
74
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
74
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
1779
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link