RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
62
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
3631
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link