RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
62
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
2952
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link