RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
62
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
54
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
2176
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link