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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2811
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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