RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2307
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
CompuStocx (CSX) 2GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link