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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Puntuación global
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Puntuación global
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 32
    En 16% menor latencia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20.5 left arrow 16.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.5 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.7 left arrow 20.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 14.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2756 left arrow 3379

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