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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2730
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Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
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