RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2490
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link