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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3327
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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