RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
27
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
18
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3668
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link