RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
4152
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link