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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3297
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
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